英文字典中文字典


英文字典中文字典51ZiDian.com



中文字典辞典   英文字典 a   b   c   d   e   f   g   h   i   j   k   l   m   n   o   p   q   r   s   t   u   v   w   x   y   z       







请输入英文单字,中文词皆可:


请选择你想看的字典辞典:
单词字典翻译
ringway查看 ringway 在百度字典中的解释百度英翻中〔查看〕
ringway查看 ringway 在Google字典中的解释Google英翻中〔查看〕
ringway查看 ringway 在Yahoo字典中的解释Yahoo英翻中〔查看〕





安装中文字典英文字典查询工具!


中文字典英文字典工具:
选择颜色:
输入中英文单字

































































英文字典中文字典相关资料:


  • 微流控SU-8光刻胶的紫外曝光 - 知乎
    SU-8光刻胶 UV曝光的目的是通过部分SU-8光刻胶的 PAC (PhotoActiv Component)激活 活化来引发交联。 这种活化将会改变SU-8的局部性质,这种性质在烘烤后,可使SU-8光刻胶可溶于或不溶于溶剂。
  • SU-8 光刻胶及光刻工艺
    SU-8 的光刻机理 简述如下: 光刻胶中的光引发剂吸收光子发生了光化学反应, 生成一种强酸, 其作用是在中烘过程中作为酸催化剂促进交 联反应的发生。只有曝光区域的光刻胶中才含有强酸, 而未曝光的区域则没有这种强酸的存在。
  • SU-8 光刻胶曝光时间的确定_光刻曝光时间-CSDN博客
    本文介绍了SU-8光刻工艺中的关键步骤:确定膜厚、曝光光强及显影时间。 这些参数对于确保最终产品的质量和性能至关重要。 摘要生成于 C知道 ,由 DeepSeek-R1 满血版支持, 前往体验 >
  • SU-8胶光刻工艺解读. doc 10页 - 原创力文档
    二 试验平台 光刻机: 德国Karl Suss公司 MA6(见图) 可进行正面和反面对准曝光, 最小线宽:2μm,对准精度: 1μm 甩 胶 台:美国AIO MICROSERVICE公司(见图) 4英寸厚胶甩胶台。
  • 原创 如何成功进行微流控SU8光刻胶的紫外曝光? - 面包板社区
    SU-8的曝光时间是光刻胶被UV照亮的时间。 曝光时间也与UV线的功率有关,并且它们一起确定了照射到光刻胶的能量。 曝光时间太短或太长将会导致光刻胶曝光不足或曝光过度,从而导致分辨率下降。
  • SU-8光刻胶起源、曝光、特性 - 电子发烧友网
    本文介绍了SU-8光刻胶的起源、曝光过程、材料特性和加工方法。 SU-8光刻胶具有良好的 光学 特性(透明),优异的生物相容性,因此被广泛的应用在 MEMS 领域,例如光波导、微透镜、光学阵列等光学器件,微流控芯片、微 电机 阵列、 高通 量分析生物医学器件,微型 机械 臂、微型 传感器 等 微机 械系统。 可能有很多小伙伴都很好奇SU-8到底是什么,它凭什么可以做这么多事情,本文将带你详细了解。 一、起源 SU-8是由IBM公司开发的并拥有该项专利 (美国专利号4882245)。 原配方组成成分有EPON SU-8树脂 (来源于 ShellChemicals)、丁内酯 (GBL)溶剂和作为光敏剂的三芳基锍盐 (重量比5%-10%)。
  • SU8模具 PDMS芯片模具 - 顶旭微控
    SU-8是一种高分辨率的负性光刻胶,拥有卓越的机械、介电、耐化学性和热性能,以及出色的生物相容性。 在微流控领域,常用来做制备PDMS微流控芯片的模具。 SU-8制备的模具具备以下优势: 1、高分辨率和精度:SU-8是高分辨率的光刻胶,使用光刻工艺,可以制备复杂且精细的微通道几何形状,从而形成清晰的微流体结构。 2、强韧耐用:SU-8模具具备强韧性和耐久性,能够经受住反复使用、清洗和处理,不会明显退化,适合多次浇筑PDMS芯片。 3、SU-8模具,使用光刻工艺, 可以在SU8光刻胶制备的PDMS芯片模具上制造线条宽度大于2微米,并且实现深宽比在1:1至2:1的结构。 此外,借助多层光刻技术,还可以在SU-8模具上创建不同高度的微流道结构。 详情请点击 SU8加工设备 了解。 一、备片
  • SU8光刻胶详解 - 苏州恒芯微电子有限公司
    1、光刻:制备掩膜版、旋涂光刻胶,采用常规365nm的波长曝光。 可通过添加抗反射涂层到衬底上减少不必要的反射,以实现更准确的特征尺寸控制,同样地,SU-8也可以通过结合紫外线光刻技术和立体光刻技术,实现SU-8三维结构的制造。 2、去除:可采用热NMP、硫酸 过氧化氢或专门的去除剂(如NANOTM Remover PG)等去除。 3、释放:通过薄牺牲层(如铝、钛、铜)控制SU-8的释放。 4、键合:SU-8可用作粘合剂,将个别样品、芯片和圆片键合在一起,也可与环氧树脂、PMMA、BCB光刻胶等实现键合。 5、转移:将释放下来的 SU-8微结构进行转印。 6、刻蚀掩膜:具有出色的耐化学性,耐氢氟酸和等离子体刻蚀。
  • 一种利用h线激光直写机进行i线SU8系列光刻胶曝光的方法与流程
    本发明通过使用h线激光直写机对i线su8系列光刻胶进行多次曝光,最终成功显影。克服了h线激光直写机光源能量太小,不足以使i线su8系列光刻胶充分曝光的缺点,缩短了科研开发周期,降低了生产成本,安全可靠。
  • 一文了解SU-8光刻胶 - 知乎
    化学放大光刻胶曝光速递是DQN光刻胶的10倍,对深紫外光源具有良好的光学敏感性,同时具有高对比度,对高分辨率等优点。 按照曝光波长分类;光刻胶可分为紫外光刻胶(300~450nm)、 深紫外光刻胶 (160~280nm)、极紫外光刻胶(EUV,13 5nm)、电子束光刻胶、离子束光刻胶、X射线光刻胶等。 不同曝光波长的光刻胶,其适用的光刻极限分辨率不同。 通常来说,在使用工艺方法一致的情况下,波长越短,加工分辨率越佳。





中文字典-英文字典  2005-2009